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申请/专利权人:上海天数智芯半导体有限公司
摘要:本申请实施例提供一种硅中介层及调整方法、芯片及封装方法,涉及芯片封装领域。硅中介层调整方法包括:获取包括硅中介层设计文件;所述硅中介层设计文件中包括预设第一金属层、预设第二金属层和预设电介质及各自的配置参数,所述预设第一金属层用于信号传输,所述预设第二金属层与所述预设第一金属层相对设置;所述预设第一金属层与预设第二金属层的相对的表面通过所述预设电介质隔开;调整目标参数以降低所述预设第一金属层、所述预设第二金属层之间形成的寄生电容的容值,得到目标硅中介层设计文件。通过降低寄生电容容值,降低信号通过金属层时的损耗。
主权项:1.一种硅中介层调整方法,其特征在于,包括:获取硅中介层设计文件;所述硅中介层设计文件中包括预设第一金属层、预设第二金属层和预设电介质及各自的配置参数,所述预设第一金属层用于信号传输,所述预设第二金属层与所述预设第一金属层相对设置;所述预设第一金属层与预设第二金属层的相对的表面通过所述预设电介质隔开;调整目标参数以降低所述预设第一金属层、所述预设第二金属层之间形成的寄生电容的容值,得到目标硅中介层设计文件;所述目标参数为与所述预设第一金属层、所述预设第二金属层或所述预设电介质的配置参数。
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权利要求:
百度查询: 上海天数智芯半导体有限公司 硅中介层及调整方法、芯片及封装方法
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