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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请涉及一种中介层结构、封装结构以及集成电路板结构，中介层结构包括：半导体基底以及导电管，所述导电管贯穿所述半导体基底，用于实现位于所述半导体基底两侧的半导体芯片与封装基板之间的信号传输。本申请中介层结构采用导电管替代传统实心圆柱状的导电柱。在相同的关键尺寸下，导电管相对于传统的通孔结构可以具有更大的曲率。在一定范围内，曲率越大，产生的应力越小。因此，本申请实施例通过设置导电管可以有效减少热失配所带来的应力，避免了半导体基底在晶圆研磨、化学机械研磨、沉积其他材料层等工艺过程中产生机械裂纹，进而减小了半导体基底碎裂的风险。
主权项：1.一种中介层结构，其特征在于，包括半导体基底以及导电管，所述导电管贯穿所述半导体基底，用于实现位于所述半导体基底两侧的半导体芯片与封装基板之间的信号传输。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 中介层结构、封装结构以及集成电路板结构
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