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一种3D堆叠芯片 

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申请/专利权人:西安紫光国芯半导体股份有限公司

摘要:本实用新型提出了一种3D堆叠芯片,属于集成电路技术领域,包括基底层,基底层上设置有硬核IP器件模块以及贯穿基底层的硅通孔;金属传输层,设置于基底层靠近硬核IP器件模块的一侧,硅通孔通过金属传输层形成的传输网络连接硬核IP器件模块。本实用新型通过硅通孔以及金属传输层形成的传输网络形成了先自下至上、再自上至下传输电和信号的方式,实现了3D堆叠集成逻辑芯片硬核IP器件模块的供电接入和信号接入。

主权项:1.一种3D堆叠芯片,其特征在于,包括:基底层1,所述基底层1上设置有硬核IP器件模块以及贯穿所述基底层1的硅通孔4;金属传输层,设置于所述基底层1靠近所述硬核IP器件模块的一侧,所述硅通孔4通过所述金属传输层形成的传输网络连接所述硬核IP器件模块。

全文数据:

权利要求:

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