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申请/专利权人：江南大学
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299430A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L21/329;H01L29/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的肖特基二极管从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；本征AlGaN势垒层上设有欧姆阴极和双金属氮化物凹槽肖特基阳极，双金属氮化物凹槽肖特基阳极包括：里侧的低功函数肖特基阳极和外侧的高功函数肖特基阳极，高功函数肖特基阳极与低功函数肖特基阳极之间采用空气桥连接。本发明在保持低开启电压和低反向漏电流的同时，有效降低结电容。此外，本发明无需精密光刻工艺，即可实现零寄生电容，有效改善高频性能，显著提升了器件在微波整流电路中的性能。
主权项：1.一种氮化镓射频肖特基二极管，其特征在于，从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；所述本征AlGaN势垒层上设有欧姆阴极和双金属氮化物凹槽肖特基阳极；所述双金属氮化物凹槽肖特基阳极包括：里侧的低功函数肖特基阳极和外侧的高功函数肖特基阳极；所述低功函数肖特基阳极贯穿所述本征AlGaN势垒层和AlN插入层，与所述GaN沟道层接触；所述高功函数肖特基阳极设于所述本征AlGaN势垒层上表面且以环形结构沉积在所述低功函数肖特基阳极的外围；所述高功函数肖特基阳极与低功函数肖特基阳极之间采用空气桥连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法
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