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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一III‑V族氮化物基半导体层，第二III‑V族氮化物基半导体层，源极，漏极，以及掺杂的氮化物基半导体层。第二III‑V族氮化物基半导体层设置在第一III‑V族氮化物基半导体层上，并且具有比第一III‑V族氮化物基半导体层大的带隙。源极和漏极设置在第二III‑V族氮化物基半导体层上。掺杂的氮化物基半导体层设置在第二III‑V族氮化物基半导体层上并位于源极和漏极之间，其中掺杂的氮化物基半导体层具有沿向上方向增加的铝浓度。栅极设置在掺杂的氮化物基半导体层上。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一III-V族氮化物基半导体层；第二III-V族氮化物基半导体层，其设置在所述第一III-V族氮化物基半导体层上并且具有比所述第一III-V族氮化物基半导体层大的带隙；源极和漏极，其设置在所述第二III-V族氮化物基半导体层上；掺杂的氮化物基半导体层，其设置在所述第二III-V族氮化物基半导体层上并且位于所述源极和所述漏极之间，其中所述掺杂的氮化物基半导体层具有沿向上方向增加的铝浓度；以及栅极，其设置在掺杂的氮化物基半导体层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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