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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请涉及射频电路技术领域，具体地，涉及一种射频偏置电路、射频功率放大器和单片微波集成芯片。该射频偏置电路，用于为射频功率放大器提供偏置电压，所述射频偏置电路至少包括：第一晶体管器件，所述第一晶体管器件用于对接收的射频信号进行放大，所述第一晶体管器件的集电极用于输出放大后的射频信号；第二晶体管器件，所述第二晶体管器件的集电极和基极与所述射频偏置电路的偏置电源电连接；第一电阻器件，所述第一电阻器件的第一端与所述偏置电源和所述第二晶体管器件的连接点电连接，所述第一电阻器件的第二端与所述第一晶体管器件的基极电连接。提供了一种适用于SiCBJT工艺的射频偏置电路。
主权项：1.一种射频偏置电路，其特征在于，用于为射频功率放大器提供偏置电压，所述射频偏置电路至少包括：第一晶体管器件，所述第一晶体管器件用于对接收的射频信号进行放大，所述第一晶体管器件的集电极用于输出放大后的射频信号；第二晶体管器件，所述第二晶体管器件的集电极和基极与所述射频偏置电路的偏置电源电连接；第一电阻器件，所述第一电阻器件的第一端与所述偏置电源和所述第二晶体管器件的连接点电连接，所述第一电阻器件的第二端与所述第一晶体管器件的基极电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 射频偏置电路、射频功率放大器和单片微波集成芯片
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