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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2024-05-16
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299332A
主分类号：H01L21/8238
分类号：H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构。该半导体结构制备方法至少包括：在基体结构表面形成第一导电类型的第一鳍形结构，以及第二导电类型的第二鳍形结构，所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构相接形成半封闭结构；所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；在所述半封闭结构基础上形成伪栅，所述伪栅顶部不低于所述半封闭结构的顶部，所述伪栅分别与所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构相交且贯穿所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构；去除所述伪栅，并在所述伪栅区域形成栅极结构区。提供了一种成本更低且制造工艺更为简单的鳍式场效应晶体管制备方法。
主权项：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，至少包括：在基体结构表面形成第一导电类型的第一鳍形结构，以及第二导电类型的第二鳍形结构，所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构相接形成半封闭结构；所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；在所述半封闭结构基础上形成伪栅，所述伪栅顶部不低于所述半封闭结构的顶部，所述伪栅分别与所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构相交且贯穿所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构；去除所述伪栅，并在所述伪栅区域形成栅极结构区；其中：所述栅极结构区至少包括：包覆于所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构表面的栅极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 半导体结构制备方法及半导体结构
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