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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-04-23
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299366A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种表征外延层的电阻率的测试结构，包括第二导电类型封闭结构以及由位于第二导电类型封闭结构内部的第一外延层组成的第一封闭电阻结构。第二导电类型封闭结构包括由多个填充于沟槽中的第二导电类型第一柱围成的第二导电类型环以及第二导电类型埋层。第二导电类型环的各第二导电类型第一柱的底部都和第二导电类型埋层接触。第二导电类型环从侧面对第一封闭电阻结构进行全面覆盖，第二导电类型埋层从底部对第一封闭电阻结构进行全面覆盖。第一封闭电阻结构的表面形成有两个第一电阻测试端。本发明能实现对厚外延层的电阻率进行精确监控，特别适用于对超结结构的外延层的电阻率进行精确监控，有利于对超结结构的PN匹配的面内分析。
主权项：1.一种表征外延层的电阻率的测试结构，其特征在于：第一测试结构形成于第一导电类型的第一外延层的测试结构形成区域中；所述第一测试结构包括第二导电类型封闭结构以及由位于所述第二导电类型封闭结构内部的第一外延层组成的第一封闭电阻结构；所述第二导电类型封闭结构包括由多个第二导电类型第一柱围成的第二导电类型环以及第二导电类型埋层；所述第二导电类型第一柱填充于形成于所述第一外延层中的第一沟槽中；所述第二导电类型环的各所述第二导电类型第一柱的底部都和所述第二导电类型埋层接触；所述第二导电类型环从侧面对所述第一封闭电阻结构进行全面覆盖，所述第二导电类型埋层从底部对所述第一封闭电阻结构进行全面覆盖，使所述第一封闭电阻结构和所述第二导电类型封闭结构外的所述第一外延层隔离；所述第一封闭电阻结构的表面形成有两个第一电阻测试端，通过两个所述第一电阻测试端测试所述第一封闭电阻结构的电阻率并从而得到所述第一外延层的电阻率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 表征外延层的电阻率的测试结构
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