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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明的目的在于，在使用氧化镓的肖特基势垒二极管中，既确保充分的反向耐压又降低导通电阻。肖特基势垒二极管1包括由氧化镓构成的半导体基板20、设置在半导体基板20上的由氧化镓构成的漂移层30、与漂移层30肖特基接触的阳极电极40和与半导体基板20欧姆接触的阴极电极50。漂移层30具有埋入有阳极电极40的中心沟槽61。中心沟槽61的底面不与阳极电极40相接而被绝缘膜70覆盖，中心沟槽61的侧面的至少一部分不被绝缘膜70覆盖而与阳极电极40肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。
主权项：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：由氧化镓构成的半导体基板；设置于所述半导体基板上的由氧化镓构成的漂移层；与所述漂移层肖特基接触的阳极电极；和与所述半导体基板欧姆接触的阴极电极，所述漂移层具有埋入有所述阳极电极的中心沟槽，所述中心沟槽的底面不与所述阳极电极相接而被绝缘膜覆盖，所述中心沟槽的侧面的至少一部分与所述阳极电极肖特基接触。
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