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申请/专利权人：大连海事大学
摘要：本发明公开了一种沟槽肖特基型碳化硅中子探测器结构及其制备方法，属于半导体中子探测领域。本发明的沟槽肖特基型碳化硅中子探测器包括由下到上依次设置的以下部分：背面欧姆接触电极、4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、SiO2介质层、正面肖特基接触电极和中子转换层；所述4H‑SiC外延层的顶端设有若干沟槽；在所述4H‑SiC外延层的台面、沟槽底面和沟槽内壁区域覆盖有SiO2介质层；所述SiO2介质层上覆盖有正面肖特基接触电极；在沟槽内填充中子转换材料形成所述中子转换层。本发明针对高温高压和强辐射极端环境，提出了一种沟槽肖特基型碳化硅中子探测器结构，能够在有限的沟槽深度内大幅提高中子的探测效率。
主权项：1.一种沟槽肖特基型碳化硅中子探测器，其特征在于，包括由下到上依次设置的以下部分：背面欧姆接触电极、4H-SiC衬底、4H-SiC外延层、SiO2介质层、正面肖特基接触电极和中子转换层；所述4H-SiC外延层的顶端设有若干沟槽；在所述4H-SiC外延层的台面、沟槽底面和沟槽内壁区域覆盖有SiO2介质层；所述SiO2介质层上覆盖有正面肖特基接触电极；在沟槽内填充中子转换材料形成所述中子转换层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连海事大学 一种沟槽肖特基型碳化硅中子探测器结构及其制备方法
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