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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明涉及一种部分P‑GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法，该结构中，通过AlGaN反向组分渐变势垒层的插入，以及栅下方采用P‑GaN帽层、未掺杂GaN帽层和空气腔结构的设置，在提高了势垒层中的一部分导带，降低了栅极区域附近的电子浓度，减小了栅极泄露电流，缓解电流崩溃的基础上，扩宽了栅压摆动范围，提高了跨导的线性度，减小了栅极接触电阻，降低了栅极下方耗尽区的范围，改善了器件的直流和射频特性，同时最大程度降低了栅帽下方的寄生电容，提高了器件的射频特性。
主权项：1.一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT器件，其特征在于，其包括：衬底；位于所述衬底上的AlGaN缓冲层；位于所述AlGaN缓冲层上的GaN通道层；位于所述GaN通道层上的AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层沿生长方向上依次包括AlGaN下势垒层、AlGaN反向组分渐变势垒层和AlGaN上势垒层，所述AlGaN上势垒层中，Al组分为21％，所述AlGaN下势垒层中，Al组分为26％，所述AlGaN反向组分渐变势垒层的组分沿生长方向由26％到21％线性变化；位于所述AlGaN势垒层上的帽层结构，该帽层结构由厚度相等的P-GaN帽层和第一未掺杂GaN帽层和第二未掺杂GaN帽层组成，第一未掺杂GaN帽层和第二未掺杂GaN帽层分别位于P-GaN帽层的两侧，第一未掺杂GaN帽层的宽度等于第二未掺杂GaN帽层的宽度，P-GaN帽层的宽度大于第一、第二未掺杂GaN帽层的宽度；位于所述帽层结构上的肖特基接触栅电极，所述肖特基接触电极由栅脚接触电极和栅帽接触电极组成，栅脚接触电极与所述帽层结构接触；所述栅帽接触电极与所述AlGaN上势垒层之间设置有空气介质，所述空气介质位于所述帽层结构和所述栅脚接触电极的两侧；位于所述AlGaN势垒层上的欧姆接触源电极和漏电极；所述肖特基接触栅电极与源电极、漏电极之间填充有钝化层，位于所述AlGaN上势垒层表面、空气介质的两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法
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