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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了具有结势垒屏蔽基区结构的SiC光控晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底下表面覆盖有集电极欧姆接触金属，n型4H‑SiC衬底上表面依次外延有n型缓冲层和n型漂移区，n型漂移区上表面制作有p‑型基区，p‑型基区上表面注入有结势垒屏蔽p基区，n型漂移区上表面还注入逆导二极管p区和p型场限环，p‑型基区和结势垒屏蔽p基区上表面注入n+型发射区，逆导二极管p区、n+型发射区之间以及逆导二极管p区、p型场限环之间的n型漂移区上表面沉积介质层等，本发明使SiC光控晶体管维持高耐压的前提下也能获得较高的电流增益。
主权项：1.具有结势垒屏蔽基区结构的SiC光控晶体管，其特征在于，包括n型4H-SiC衬底1，n型4H-SiC衬底1下表面覆盖有集电极欧姆接触金属12，n型4H-SiC衬底1上表面依次外延有n型缓冲层2和n型漂移区3，n型漂移区3上表面制作有p-型基区4，p-型基区4上表面注入有结势垒屏蔽p基区5，n型漂移区3上表面还注入逆导二极管p区6和p型场限环7，p-型基区4和结势垒屏蔽p基区5上表面注入n+型发射区8，逆导二极管p区6、n+型发射区8之间以及逆导二极管p区6、p型场限环7之间的n型漂移区3上表面沉积介质层9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 具有结势垒屏蔽基区结构的SiC光控晶体管
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