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申请/专利权人：浙江广芯微电子有限公司
摘要：本发明公开一种新型沟槽肖特基二极管的制备方法，包括：提供衬底，在该衬底上依次生长外延层、第一介质层、第二介质层，再通过光刻胶在介质层定义出沟槽位置，后刻蚀出直达外延层的沟槽；横向腐蚀沟槽开口处两侧的第一介质层，使露出开口处两侧外延层的台面；去除第二介质层，对所述台面及沟槽底部进行离子注入形成掺杂区域；去除第一介质层，在整体结构生长栅氧化层，再沉积多晶硅并填满沟槽；在栅氧化层上生长隔离层并刻蚀形成势垒区，后对势垒区注入离子形成轻掺杂区域；在所述隔离层和势垒区上依次沉积肖特基势垒金属层、阳极金属层；最后在衬底底面沉积阴极金属层。本发明有效提高了器件的反向击穿电压，降低反向漏电流及正向压降。
主权项：1.一种沟槽肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，提供第一导电类型的衬底，在该衬底上依次生长外延层、介质层，再通过光刻胶在介质层定义出沟槽位置，后刻蚀出直达外延层的沟槽；其中，所述介质层包括第一介质层和第二介质层；步骤二，采用湿法腐蚀，横向腐蚀沟槽开口处两侧的第一介质层，使露出开口处两侧外延层的台面；步骤三，采用湿法腐蚀去除第二介质层，采用离子注入的方法，对所述台面及沟槽底部进行注入，注入第二导电类型离子，形成第二导电类型掺杂区域；步骤四，采用湿法腐蚀去除第一介质层后，在外延层表面、沟槽的底面和侧壁上生长出栅氧化层，再沉积多晶硅并填满沟槽；步骤五，在栅氧化层上生长隔离层，在隔离层上刻蚀形成势垒区，后对势垒区注入第二导电类型离子且在退火后形成第二导电类型轻掺杂区域；在隔离层上刻蚀形成势垒区，具体为：在隔离层上涂光刻胶，通过光刻胶定义出开孔位置并刻蚀开设窗口，以形成势垒区；其中的隔离层为绝缘材料；步骤六，在所述隔离层和势垒区上沉积肖特基势垒金属层，在肖特基势垒金属层顶面沉积阳极金属层；步骤七，研磨衬底底面，在衬底底面沉积阴极金属层后完成沟槽肖特基二极管的制备。
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权利要求：
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