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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2022-08-16
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN115432671B
主分类号：C01B19/00
分类号：C01B19/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种类金刚石半导体材料及其合成方法，该类金刚石半导体材料具体为Cu3‑xAgxInSnSe5半导体材料，其中，0≤x≤1。其晶格结构为正方结构，空间群为本发明通过对材料的组成、结构进行改进，将Cu2SnSe3与CuInSe2或AgInSe2这些不同的类金刚石化合物的四面体基元进行重新排列，得到多元的Cu3‑xAgxInSnSe5类金刚石半导体材料，具有四方结构并且，本发明制备方法成本低廉，可大规模推广应用。
主权项：1.一种类金刚石半导体材料，其特征在于，该半导体材料具体为Cu3-xAgxInSnSe5单相半导体材料，其中，0≤x≤1；所述Cu3-xAgxInSnSe5半导体材料的晶格结构为正方结构，空间群为I42d。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种类金刚石半导体材料及其合成方法
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