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申请/专利权人：成都灏众科技有限公司
申请日：2021-05-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113224484B
主分类号：H01P1/203
分类号：H01P1/203
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：本发明公开了一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器，属于微波射频技术领域，包括从上到下依次层叠设置的第一金属层、介质基板层和第二金属层；所述第一金属层包括两个八分之一基片集成波导金属层、四个电磁间隙耦合结构、共面波导输入端和共面波导输出端；采用八分之一基片集成波导金属层，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小；通过在基片集成波导滤波器的共面波导输入端与共面波导输出端添加电磁间隙耦合结构，改善了滤波器的性能，其信号的选择性更好，损耗更低。
主权项：1.一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器，其特征在于：包括从上到下依次层叠设置的第一金属层、介质基板层和第二金属层；所述第一金属层包括两个八分之一基片集成波导金属层、四个电磁间隙耦合结构、共面波导输入端和共面波导输出端；两个所述八分之一基片集成波导金属层上的金属化通孔行位于同一水平面且互相平行，两金属化通孔行贯穿介质基板层与第二金属层相连通，一个八分之一基片集成波导金属层、金属化通孔行和第二金属层构成一个谐振腔，两个谐振腔通过两个八分之一基片集成波导金属层间的间隙相互耦合；一个八分之一基片集成波导金属层的外侧与共面波导输入端连接、另一个八分之一基片集成波导金属层的外侧与共面波导输出端连接，共面波导输入端和共面波导输出端的两侧分别设置有两个电磁间隙耦合结构；电磁间隙耦合结构均为T型，顶部平行于共面波导输入端和共面波导输出端，底部通过金属通孔贯穿介质基板层与第二金属层相连通；所述第二金属层为矩形，第二金属层的长边和介质基板层的长度相同，第二金属层的宽度和两个八分之一基片集成波导金属层对拼后的宽度相同；两个所述谐振腔的耦合方式为感性耦合；通过调节两个所述八分之一基片集成波导金属层之间的间隙大小调节两个谐振腔的耦合强度；通过调节共面波导输入端或和共面波导输出端两侧的电磁间隙耦合结构的物理尺寸和位置调节传输零点和带外抑制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都灏众科技有限公司 一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器
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