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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路装置可包括衬底上的晶体管以及电连接至晶体管的电容器结构。电容器结构可包括第一电极、第一电极上的电介质层结构、和电介质层结构上的第二电极。电介质层结构可包括交替地堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。多个第一电介质层可包括铁电材料，多个第二电介质层可包括反铁电材料。内部缺陷偶极子的分布比率可在电介质层结构的厚度方向上逐渐变化。
主权项：1.一种集成电路装置，包括：衬底上的晶体管；以及电容器结构，其电连接至所述晶体管，其中，所述电容器结构包括第一电极、所述第一电极上的电介质层结构、和所述电介质层结构上的第二电极，所述电介质层结构包括交替地堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层，所述多个第一电介质层包括铁电材料，所述多个第二电介质层包括反铁电材料，并且内部缺陷偶极子的分布比率在所述电介质层结构的厚度方向上逐渐变化。
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