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基片定位装置 

申请/专利权人:联测优特半导体(东莞)有限公司

申请日:2023-10-11

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN221226192U

主分类号:H01L21/68

分类号:H01L21/68;H01L21/683

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权

摘要:本实用新型提供一种基片定位装置,包括真空装置以及与真空装置连接的底板,底板用于支撑基片,底板设有用于与真空装置连接的开孔,真空装置通过开孔吸附基片以进行定位。其中,底板上设有气道转换器,气道转换器具有面向底板的第一表面以及面向基片的第二表面,第一表面上设有贯穿至第二表面的且与开孔相对的一通孔,开孔和通孔之间形成主气道,第二表面上设有至少一第一孔和至少一第二孔,第一孔与通孔之间形成第一气道,第二孔与通孔之间形成第二气道,第一气道和第二气道自主气道的周向延伸且相互连通。本装置可改善真空力在基片上分布的均匀性,提高基片定位的稳定性,从而提高半导体封装的可靠性及良品率。

主权项:1.一种基片定位装置,包括真空装置以及与所述真空装置连接的底板,所述底板用于支撑基片,所述底板设有用于与所述真空装置连接的开孔,所述真空装置通过所述开孔吸附所述基片以进行定位,其特征在于:所述底板上设有气道转换器,所述气道转换器具有面向底板的第一表面以及面向基片的第二表面,所述第一表面上设有贯穿至所述第二表面的且与所述开孔相对的一通孔,所述开孔和所述通孔之间形成主气道,所述第二表面上设有至少一第一孔和至少一第二孔,所述第一孔与所述通孔之间形成第一气道,所述第二孔与所述通孔之间形成第二气道,所述第一气道和所述第二气道自所述主气道的周向延伸且相互连通。

全文数据:

权利要求:

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