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申请/专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日：2024-05-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244575A
主分类号：G03F7/00
分类号：G03F7/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明属于纳米压印技术领域，具体涉及一种提高纳米压印胶粘附性的纳米压印子版基片及其制备方法和纳米压印方法。该纳米压印子版基片，包括基片，基片上镀金属膜层，金属膜层上镀SiO2膜层，该膜层是通过磁控溅射法、PECVD法或电子束沉积法等方法沉积到金属膜层之上，得到了厚度均匀的SiO2膜层，使得纳米压印时，SiO2膜层位于金属膜层和纳米压印胶之间，使纳米压印胶的粘附性增加，明显改善了基片表面的脱胶现象。同时提升母版图形结构的复制质量；为公众提供了一种全新的超高分辨率、高产量、高保真度、低成本纳米、无脱胶的压印技术。
主权项：1.纳米压印子版基片，包括基片，基片上镀金属膜层，其特征在于：金属膜层上镀SiO2膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天府兴隆湖实验室 一种提高纳米压印胶粘附性的纳米压印子版基片及其制备方法和纳米压印方法
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