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申请/专利权人：深圳技术大学
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265394A
主分类号：H10K65/00
分类号：H10K65/00;H10K50/856;H10K50/844;H10K71/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种基于银反射镜的硅基片上电致发光器件及其制备方法，该器件包括硅基片、设置在硅基片上的第一透明绝缘层、设置在第一透明绝缘层上的氮化硅波导层和电子传输层、第一电极层、银反射镜、量子点层、空穴传输层、第二电极层、将量子点层和空穴传输层包围的第二透明绝缘层；电子传输层将氮化硅波导层覆盖；两个第一电极层分别设置在电子传输层上并且位于氮化硅波导层的相对两侧；第二透明绝缘层上设有两个第二凹槽，两个第一电极层分别通过两个第二凹槽暴露出来。嵌入氮化硅波导层内的银反射镜与氮化硅波导层的横截面之间形成有预设夹角α；本发明利用银反射镜作为增益结构增加光耦合效率，实现光源与氮化硅波导层之间的高效能量耦合。
主权项：1.一种基于银反射镜的硅基片上电致发光器件，其特征在于，包括硅基片1、第一透明绝缘层21、氮化硅波导层3、电子传输层41、两个第一电极层51、银反射镜6、量子点层7、空穴传输层42、第二电极层52、第二透明绝缘层23；所述第一透明绝缘层21设置在所述硅基片1上；所述氮化硅波导层3和所述电子传输层41分别设置在所述第一透明绝缘层21上，所述电子传输层41将所述氮化硅波导层3覆盖；两个所述第一电极层51分别设置在所述电子传输层41上，并且，两个所述第一电极层51分别位于所述氮化硅波导层3的相对两侧；所述银反射镜6嵌入所述氮化硅波导层3内，所述银反射镜6与所述氮化硅波导层3的横截面之间形成有预设夹角α；所述量子点层7设置在所述电子传输层41上；所述空穴传输层42设置在所述量子点层7上；所述第二电极层52设置在所述空穴传输层42上；所述第二透明绝缘层23设置在所述电子传输层41和所述第二电极层52之间，所述量子点层7和所述空穴传输层42被所述第二透明绝缘层23包围；所述第二透明绝缘层23上设有两个第二凹槽232，两个所述第一电极层51分别通过两个所述第二凹槽232暴露出来。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 基于银反射镜的硅基片上电致发光器件及其制备方法
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