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申请/专利权人：富士电机株式会社
申请日：2020-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112956025B
主分类号：H01L27/088
分类号：H01L27/088;H01L21/329;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/866
优先权：["20190516 JP 2019-093138"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开
摘要：半导体集成电路具备：第一导电型的半导体基体1、2；下表面电极29，其设置于半导体基体1、2的下表面，被施加第一电位；第二导电型的第一阱8，其设置于半导体基体1、2的上表面侧，被施加比第一电位低的第二电位；第一导电型的n阱9，其设置于p阱8内；以及边缘构造201，其设置于阱8，向n阱9提供比第二电位高的第三电位。
主权项：1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基体；下表面电极，其设置于所述半导体基体的下表面侧，被施加第一电位；第二导电型的第一阱，其设置于所述半导体基体的上表面侧，被施加比所述第一电位低的第二电位；第一导电型的第二阱，其设置于所述第一阱内；边缘构造，其设置于所述第一阱，向所述第二阱提供比所述第二电位高的第三电位，其中，所述半导体集成电路还包括第一晶体管，所述第一晶体管包括：以彼此分离的方式设置于所述第二阱的上部的源极区和漏极区、设置在所述第二阱上的位于所述第一晶体管的源极区和漏极区之间的位置的栅极绝缘膜以及配置在栅极绝缘膜上的栅极电极，所述第一晶体管的源极区和漏极区是第二导电型的半导体区。
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