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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2023-06-30
公开（公告）日：2023-09-22
公开（公告）号：CN116801635A
主分类号：H10B43/20
分类号：H10B43/20;H10B43/35;H10B43/50
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种ETOX非易失闪存器件的制作方法。ETOX非易失闪存器件的制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖在所述半导体衬底的存储区和外围区；在所述多晶硅层上形成硬质氧化层；回刻蚀位于所述半导体衬底的存储区中的多晶硅层，去除覆盖在所述半导体衬底的存储区上的硬质氧化层和多晶硅层的上层；刻蚀所述存储区的衬底上结构形成相间隔存储栅结构，相邻两个存储栅结构之间的半导体衬底外露；面向所述多晶硅层，向所述存储区和外围区一体注入杂质离子；在所述存储栅结构两侧半导体衬底中形成轻掺杂区，所述硬质氧化层阻挡所述杂质离子注入所述外围区的多晶硅层中。
主权项：1.一种ETOX非易失闪存器件的制作方法，其特征在于，所述一种ETOX非易失闪存器件的制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖在所述半导体衬底的存储区和外围区；在所述多晶硅层上形成硬质氧化层；回刻蚀位于所述半导体衬底的存储区中的多晶硅层，去除覆盖在所述半导体衬底的存储区上的硬质氧化层和多晶硅层的上层；刻蚀所述存储区的衬底上结构形成相间隔存储栅结构，相邻两个存储栅结构之间的半导体衬底外露；面向所述多晶硅层，向所述存储区和外围区一体注入杂质离子；在所述存储栅结构两侧半导体衬底中形成轻掺杂区，所述硬质氧化层阻挡所述杂质离子注入所述外围区的多晶硅层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 ETOX非易失闪存器件的制作方法
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