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申请/专利权人：晨星软件研发（深圳）有限公司;晨星半导体股份有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法，还提供了相应的装置。本发明通过在读取NAND Flash中的数据时，依次对存储块中需要读取的数据所在的页面的比特数据进行扫描，然后判断该页面是否为擦除异常页面，如果为擦除异常页面，则将该页面中比特数据中不为1的比特置1，然后对该存储块进行重新擦除操作；确保在NAND Flash擦除失败时，甚至在遇到突然断电的情况下，也不会有异常数据出现，系统依然能够正常工作，从而提升了系统的可靠性。
主权项：一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法，其特征在于，包括：在读取非易失闪存中的数据时，扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据；判断所述页面是否为擦除异常页面；如果所述页面为擦除异常页面，则将所述页面中不为1的比特置1；以及擦除所述待读取的存储块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晨星软件研发（深圳）有限公司 晨星半导体股份有限公司 非易失闪存擦除异常存储块修复方法和装置
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