买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明提供了一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：提供一衬底，并在衬底表面沉积外延层，外延层包括依次沉积在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层；在外延层表面部分区域形成N型半导体层导电台阶，其余区域制备电流扩展层；在外延层表面制备电流阻挡层和布拉格反射层后刻蚀，形成布拉格反射层通孔和电流阻挡层通孔，在外延层上制备金属反射层和第一绝缘层，采用BOE腐蚀液对部分第一绝缘层进行处理，形成第一绝缘层通孔后制备接触电极；在接触电极上沉积连接电极、第二绝缘层和焊盘层，得到目标倒装发光二极管。本申请制备的倒装发光二极管，内部电压低、发热少。

主权项：1.一种倒装发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，提供一衬底，并在所述衬底表面沉积外延层，所述外延层包括依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层；S20，对所述外延层表面部分区域进行刻蚀，刻蚀深度直至所述N型半导体层，得到N型半导体层导电台阶，以在所述外延层上形成N型区，在所述外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层，以在所述外延层上形成P型区；S30，在所述N型区和所述P型区的表面制备电流阻挡层和布拉格反射层，对所述布拉格反射层进行刻蚀，以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔；S40，采用BOE腐蚀液在所述布拉格反射层通孔内进行腐蚀，以在所述电流阻挡层上形成电流阻挡层通孔，在所述P型区的电流阻挡层通孔和P型区的布拉格反射层上制备金属反射层，在制备金属反射层后的外延层上制备AL203薄膜和SiO2薄膜，以得到第一绝缘层，制备所述SiO2薄膜的温度大于制备所述AL203薄膜的温度，且温差在100℃以上；S50，采用BOE腐蚀液对部分所述第一绝缘层进行处理，以在所述第一绝缘层上形成第一绝缘层通孔，在所述第一绝缘层通孔内制备接触电极，所述接触电极的厚度与所述第一绝缘层的深度之比小于1:4；S60，在所述接触电极上沉积连接电极，在沉积连接电极后的外延层表面制备第二绝缘层和焊盘层，以得到目标倒装发光二极管；所述在所述N型区和所述P型区的表面制备电流阻挡层和布拉格反射层，对所述布拉格反射层进行刻蚀，以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔的步骤包括：利用PECVD工艺在所述N型区和所述P型区的表面沉积SiO2做为电流阻挡层；利用电子束蒸镀工艺在所述电流阻挡层表面交替蒸镀若干周期的TiO2和SiO2的叠层做为布拉格反射层，所述TiO2和SiO2交替蒸镀的周期为2-10；在所述布拉格反射层上涂布光刻胶，然后曝光、显影去除部分布拉格反射层上的光刻胶，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除暴露出的布拉格反射层，以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔；其中，所述布拉格反射层通孔包括位于所述N型区的N型布拉格反射层通孔和位于所述P型区的P型布拉格反射层通孔；所述采用BOE腐蚀液在所述布拉格反射层通孔内进行腐蚀，以在所述电流阻挡层上形成电流阻挡层通孔，在所述P型区的电流阻挡层通孔和布拉格反射层上制备金属反射层，在制备金属反射层后的外延层上制备AL203薄膜和SiO2薄膜，以得到第一绝缘层的步骤包括：在所述布拉格反射层和所述布拉格反射层通孔表面涂布光刻胶，然后利用曝光、显影去除部分布拉格反射层通孔内的光刻胶，暴露出所述布拉格反射层通孔下面的电流阻挡层；利用BOE腐蚀液去除暴露出的电流阻挡层，以在所述电流阻挡层上形成电流阻挡层通孔，其中，所述电流阻挡层通孔包括位于所述N型区的N型电流阻挡层通孔和位于所述P型区的P型电流阻挡层通孔；在形成电流阻挡层通孔的外延层表面涂布光刻胶，然后曝光显影去除所述P型区上的光刻胶；利用电子束蒸镀工艺在外延层表面依次蒸镀AgNiTiPtTi金属做为金属反射层，采用蓝膜剥离工艺去除位于剩余光刻胶上的金属，然后去除光刻胶，以在所述P型区的电流阻挡层通孔和布拉格反射层上制备金属反射层；利用原子层沉积在所述金属反射层和未被金属反射层覆盖的表面制备AL203薄膜，再利用PECVD工艺在所述AL203薄膜上制备SiO2薄膜，以得到第一绝缘层；所述采用BOE腐蚀液对部分所述第一绝缘层进行处理，以在所述第一绝缘层上形成第一绝缘层通孔，在所述第一绝缘层通孔内制备接触电极的步骤包括：在所述第一绝缘层上涂布正性光刻胶，然后在正性光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶开孔，暴露出位于所述光刻胶开孔下方的第一绝缘层；采用BOE腐蚀液腐蚀暴露出第一绝缘层，以在所述第一绝缘层上形成第一绝缘层通孔，所述第一绝缘层通孔的尺寸大于所述光刻胶开孔的尺寸；利用电子束蒸镀工艺在形成第一绝缘层通孔后的外延层表面蒸镀金属层，所述金属层为CrAlTi叠层或CrAgNi叠层；利用蓝膜剥离工艺去除位于光刻胶上的金属层，最后去除剩余光刻胶，以在所述第一绝缘层通孔内制备接触电极，所述接触电极包括位于所述N型区的N型接触电极和位于所述P型区的P型接触电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管