龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法，所述深紫外发光二极管从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、第一AlN插入层、p型电子阻挡层、第二AlN插入层、p型掺杂AlGaN层、p型接触层。这种在p‑EBL两侧插入薄AlN层的结构，与传统的AlGaN基p‑EBL的结构相比，压电极化被抑制到低水平，自发极化效应降低。此外，AlN插入层还通过带内隧穿提高了空穴注入效率，同时减少了有源区内电子向p型层的泄漏。外量子效率和辐射复合率显著提高，增强了AlGaN基深紫外发光二极管的光电性能，也抑制了效率衰减效应的急剧下降。
主权项：1.一种深紫外发光二极管，包括衬底，其特征在于，所述深紫外发光二极管还包括从下往上依次设置于所述衬底上的缓冲层、电子注入层、多量子阱有源区、第一AlN插入层、p型掺杂电子阻挡层、第二AlN插入层、空穴注入层、p型接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种深紫外发光二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号