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摘要：本发明实施例公开了一种基于气相沉积的提高钕铁硼磁体晶界扩散效率的方法，包括：S100、磁体的预处理；S200、高密度等离子体成膜环境的构建；S300、高致密度重稀土扩散源的沉积；S400、缓冲层的沉积；S500、重复步骤S300和S400；S600、真空热处理。本发明从提高扩散源的致密度角度出发，通过采用基于双极高功率脉冲磁控溅射技术和离子源的离子化物理气相沉积技术来构建高密度等离子体成膜环境，并通过正脉冲参数调控成膜离子能量和通量，提高高致密度重稀土晶界扩散源制备的可控性和制备效率。
主权项：1.一种基于气相沉积的提高钕铁硼磁体晶界扩散效率的方法，其特征在于，包括：S100、磁体的预处理：将钕铁硼磁体依次经过抛光、超声清洗、干燥处理和等离子体辉光清洗，完成钕铁硼磁体的预处理；S200、高密度等离子体成膜环境的构建：调节真空度至0.2Pa～0.5Pa，同时采用双极高功率脉冲磁控溅射的负向脉冲和直流脉冲离子源，溅射重稀土靶材，完成高密度重稀土等离子体成膜环境的构建；S300、高致密度重稀土扩散源的沉积：保持双极高功率脉冲磁控溅射的负向脉冲和直流脉冲离子源的开启状态，启动双极高功率脉冲磁控溅射的正向脉冲，并使得双极高功率脉冲磁控溅射的正负双向脉冲的工作参数为第一溅射参数，在钕铁硼磁体上沉积高致密度重稀土扩散源；S400、缓冲层的沉积：关闭直流脉冲离子源，调节双极高功率脉冲磁控溅射的正负双向脉冲的工作参数至第二溅射参数，在钕铁硼磁体上沉积缓冲层；S500、重复步骤S300和S400；S600、真空热处理：将沉积有涂层的烧结钕铁硼磁体进行热处理；其中，步骤S300中，正向脉冲与负向脉冲的间隔时间为3μs～10μs；采用第一溅射参数溅射下的环境中的等离子体密度为ρ1，采用第二溅射参数溅射下的环境中的等离子体密度为ρ2，且ρ1＞ρ2。
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百度查询： 中国科学院力学研究所 北京中科迈格科技有限公司 基于气相沉积的提高钕铁硼磁体晶界扩散效率的方法
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