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摘要：本发明为单晶硅晶圆的制造方法，其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，其中，通过使用氧浓度为12ppmaJEITA以上的NV区域的单晶硅晶圆，并进行含氮氛围下且温度为1225℃以上的RTA处理、镜面抛光加工处理及BMD形成热处理，从而制造自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有厚度为5～12.5μm的DZ层、及位于该DZ层正下方且BMD密度为1×1011cm3以上的BMD层的单晶硅晶圆。由此，提供一种适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，该单晶硅晶圆能够在形成器件时在表层部正下方吸收硅晶圆表面受到的应力，用BMD层吸收应变引起的缺陷，可提升器件形成区域的强度并抑制表层中的位错的产生、伸长。
主权项：1.一种单晶硅晶圆，其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆，其特征在于，该单晶硅晶圆为NV区域的单晶硅晶圆，自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有DZ层与位于该DZ层正下方的BMD层，所述DZ层的厚度为5～12.5μm，所述BMD层的BMD密度为1×1011cm3以上，以满足关系式Depth＝3×Fz0.6的方式，施加按压压力Fz而在所述单晶硅晶圆的表面形成压痕深度Depth的压痕时，所述单晶硅晶圆为自所述表面起依次包含应变层、DZ层、BMD层的至少3层的层叠结构，其中，Depth为压痕深度，其单位为μm，Fz为按压压力，其单位为N，并设定为Depth＝0.01μm以上且小于5.00μm，对已形成所述压痕的所述单晶硅晶圆进行温度900℃、1小时的热处理时，所述热处理后的所述DZ层的位错的罗斯特长度短于所述热处理前的所述DZ层的位错的罗斯特长度。
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百度查询： 信越半导体株式会社 单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆
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