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摘要：本发明公开一种控制焊锡爬高的半导体芯片封装方法，该方法包括：以裸铜框架作为引线框架，在裸铜框架的粘片区域设置一层镀银层；在封装设备充有氮氢混合气体且工作在预设温度的加工轨道内，将粘片材料熔化在镀银层表面形成焊料层，之后将目标芯片按压在焊料层表面，得到焊接后芯片；在焊接后芯片停留在加工轨道内的时间超出预设时长后，将焊接后芯片清出加工轨道。本发明能够有效控制半导体芯片封装过程中存在的焊锡爬高缺陷，提高芯片成品的封装良率和可靠性。
主权项：1.一种控制焊锡爬高的半导体芯片封装方法，其特征在于，包括：以裸铜框架作为引线框架，在所述裸铜框架的粘片区域设置一层镀银层；所述镀银层的尺寸大于目标芯片的尺寸；在封装设备充有氮氢混合气体且工作在预设温度的加工轨道内，将粘片材料熔化在所述镀银层表面形成焊料层，之后将所述目标芯片按压在所述焊料层表面，得到焊接后芯片；在所述焊接后芯片停留在所述加工轨道内的时间超出预设时长后，将所述焊接后芯片清出所述加工轨道。
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百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种控制焊锡爬高的半导体芯片封装方法
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