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摘要：本申请涉及半导体器件技术，公开了一种IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构，包括：在晶圆的衬底正面之上形成氧化层；对氧化层进行选择性腐蚀，并在终端区的腐蚀处分别形成场限环和预留区域、在元胞区的腐蚀处形成两个预留区域；在元胞区的预留区域中形成Poly栅极、在终端区的预留区域形成场截止环；在元胞区除预留区域之外的氧化层的其他腐蚀处，形成P阱区；在两个Poly栅极之间的P阱区上表面形成硅化物区；在氧化层及硅化物区之上形成介质层，并形成贯穿介质层与硅化物区接触的正面金属层；在衬底背面之下依次形成缓冲层、P型掺杂层和背面金属层。本申请旨在实现IGBT芯片具有天然的抗闩锁特性，以消除相应的闩锁效应。
主权项：1.一种IGBT芯片结构的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆的衬底正面之上形成氧化层；对氧化层进行选择性腐蚀，并在终端区的腐蚀处分别形成场限环和预留区域、在元胞区的腐蚀处形成两个预留区域；在预留区域中形成氧化层后，进行多晶硅填充生长，并在元胞区的预留区域中形成Poly栅极、在终端区的预留区域形成场截止环；在元胞区除预留区域之外的氧化层的其他腐蚀处，形成P阱区；形成覆盖多晶硅的氧化层，并在两个Poly栅极之间的P阱区上表面形成硅化物区；在氧化层及硅化物区之上形成介质层，并刻蚀介质层，形成贯穿介质层与硅化物区接触的正面金属层；在衬底背面之下依次形成缓冲层、P型掺杂层和背面金属层。
全文数据：
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百度查询： 深圳市美浦森半导体有限公司 IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构
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