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摘要：本发明提供了一种eDRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有由下至上依次堆叠的氮化层和掩模层，且衬底、氮化层和掩模层中形成有若干深沟槽，深沟槽的内壁形成有介电层且深沟槽中填充有第一多晶硅层；刻蚀去除部分厚度的掩模层，以暴露部分介电层的侧壁；刻蚀去除暴露的介电层，以暴露部分第一多晶硅层的侧壁；刻蚀去除部分第一多晶硅层，以使第一多晶硅层的顶面低于衬底的顶面；刻蚀去除深沟槽侧壁的部分介电层，以使介电层的顶面和第一多晶硅层的顶面齐平；形成第二多晶硅层位于第一多晶硅层上；去除掩模层，以暴露氮化层。本发明能够保证氮化层的表面均匀性较好，提高eDRAM的可靠性。
主权项：1.一种eDRAM的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有由下至上依次堆叠的氮化层和掩模层，且所述衬底、所述氮化层和所述掩模层中形成有若干贯穿所述掩模层、所述氮化层和部分所述衬底的深沟槽，所述深沟槽的内壁形成有介电层且所述深沟槽中填充有第一多晶硅层；刻蚀去除部分厚度的所述掩模层，以暴露部分所述介电层的侧壁；刻蚀去除暴露的所述介电层，以暴露部分所述第一多晶硅层的侧壁；刻蚀去除部分所述第一多晶硅层，以使所述第一多晶硅层的顶面低于所述衬底的顶面；刻蚀去除所述深沟槽侧壁的部分所述介电层，以使所述介电层的顶面和所述第一多晶硅层的顶面齐平；形成第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上，且所述第二多晶硅层的顶面低于所述衬底的顶面；以及，去除所述掩模层，以暴露所述氮化层。
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百度查询： 杭州积海半导体有限公司 eDRAM的制备方法
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