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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明涉及eDRAM及其制造方法。所述制造方法中，垫氧化层和垫氮化层在形成有源区和多晶硅填充的深沟槽之后被去除，再沉积形成再沉积氧化层和再沉积氮化层，再沉积氮化层的均匀性较经过深沟槽制作工艺后的所述垫氮化层好，在深沟槽一侧形成隔离凹槽并填充第一隔离介质时，可以利用再沉积氮化层控制第一隔离介质的顶表面的高度以及平整度，之后在第一有源区和第一隔离介质之间的多晶硅上凹槽内填充第二隔离介质，第一隔离介质和第二隔离介质将深沟槽中的多晶硅与字线隔开，可以确保所述多晶硅与在第一隔离介质和或第二隔离介质上通过的字线之间形成有效隔离，有助于提升eDRAM的性能以及良率。所述eDRAM采用本发明提供的eDRAM的制造方法形成。
主权项：1.一种eDRAM的制造方法，其特征在于，包括：堆叠垫氧化层和垫氮化层于衬底表面；形成至少一个有源区以及至少一个多晶硅填充的深沟槽于所述衬底中，每个所述深沟槽将一所述有源区分隔为分别位于所述深沟槽两侧的第一有源区和第二有源区，所述深沟槽上部的多晶硅与所述第一有源区和所述第二有源区连接，所述多晶硅的顶表面低于所述有源区的顶表面；去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，并在所述衬底上堆叠再沉积氧化层和再沉积氮化层；刻蚀所述第二有源区以及与所述第二有源区连接的所述多晶硅，在相对所述第一有源区的所述深沟槽一侧形成隔离凹槽；在所述隔离凹槽内填充第一隔离介质，所述深沟槽上部剩余的所述多晶硅介于所述第一有源区和所述第一隔离介质之间，所述第一有源区、所述多晶硅、所述第一隔离介质围设成多晶硅上凹槽；至少去除位于所述第一有源区表面的部分所述再沉积氮化层，并在所述多晶硅上凹槽内形成第二隔离介质，所述第二隔离介质的顶表面高于所述第一有源区的顶表面；以及在所述衬底上形成至少一条字线，所述字线横跨所述第一隔离介质和或所述第二隔离介质。
全文数据：
权利要求：
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