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摘要：本发明公开一种具有齐平的浅沟槽隔离结构与栅极氧化层的半导体结构及其制作方法，该制作方法包含进行第一蚀刻制作工艺移除浅沟槽隔离结构一侧的垫氧化层并使该基底凹陷，该第一蚀刻制作工艺也在该浅沟槽隔离结构上形成一未被该第一光致抗蚀剂覆盖的凹部以及一被该第一光致抗蚀剂覆盖的凸部、在凹陷的该基底上形成一栅极氧化层、进行第二蚀刻制作工艺移除该凸部以及该漏极区域上的垫氧化层与一第一氧化层、进行第三蚀刻制作工艺移除部分的该浅沟槽隔离结构以及一第二氧化层，使得该浅沟槽隔离结构的顶面与该栅极氧化层齐平。
主权项：1.一种具有齐平的浅沟槽隔离结构与栅极氧化层的半导体结构的制作方法，包含：提供基底，该基底上具有浅沟槽隔离结构从该基底凸出以及垫氧化层覆盖该基底；在该浅沟槽隔离结构一侧的漏极区上形成第一光致抗蚀剂，该第一光致抗蚀剂从该侧覆盖部分的该浅沟槽隔离结构的顶面；以该第一光致抗蚀剂为掩模进行第一蚀刻制作工艺，移除该浅沟槽隔离结构另一侧的该垫氧化层并使该基底凹陷，该第一蚀刻制作工艺也在该浅沟槽隔离结构上形成未被该第一光致抗蚀剂覆盖的凹部以及被该第一光致抗蚀剂覆盖的凸部；移除该第一光致抗蚀剂；在凹陷的该基底上形成栅极氧化层，该栅极氧化层与该浅沟槽隔离结构邻接；在该栅极氧化层上形成第二光致抗蚀剂，该第二光致抗蚀剂覆盖几乎全部的该浅沟槽隔离结构，仅该凸部在该侧的边缘部位未被覆盖；以该第二光致抗蚀剂为掩模进行第二蚀刻制作工艺，移除该凸部以及该漏极区上的该垫氧化层；移除该第二光致抗蚀剂；在该漏极区上形成第一氧化层；在该栅极氧化层上形成第三光致抗蚀剂，该第三光致抗蚀剂仅覆盖该浅沟槽隔离结构在该另一侧的边缘部位，该第三光致抗蚀剂覆盖的该浅沟槽隔离结构区域不与该第一光致抗蚀剂覆盖的该浅沟槽隔离结构区域重叠；以及以该第三光致抗蚀剂为掩模进行第三蚀刻制作工艺，移除部分的该浅沟槽隔离结构以及全部的该第一氧化层，使得该浅沟槽隔离结构的顶面与该栅极氧化层齐平。
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百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作方法
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