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摘要：本发明公开了一种基于台阶单斜孔的封装结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在硅片上设置金属线路结构；在金属线路结构上键合玻璃；在硅片背面形成第一层LV1过程胶并将其做出开口Ⅰ；在开口Ⅰ处进行第一步单斜孔刻蚀，形成第一单斜孔；将第一层LV1过程胶去除；在硅片背面形成第二层LV2过程胶并将其做出开口Ⅱ，露出第一单斜孔的孔底；进行第二步单斜孔刻蚀，形成第二单斜孔；将第二层LV2过程胶去除；在硅片背面设置绝缘结构；将第二步单斜孔刻蚀出的孔底的绝缘结构刻蚀干净，裸露出硅片正面的导电Pad。本发明突破了现有技术中单斜孔刻蚀工艺深度极限，可允许作业更厚的产品，降低裂片风险；提高了绝缘能力，有效防止漏电。
主权项：1.一种基于台阶单斜孔的封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一硅片，在硅片上设置金属线路结构；步骤二：在金属线路结构上键合玻璃；步骤三：对硅片远离金属线路结构的一面进行研磨和刻蚀减薄；步骤四：在硅片远离金属线路结构的一面形成第一层LV1过程胶并将第一层LV1过程胶做出开口Ⅰ；步骤五：在开口Ⅰ处进行第一步单斜孔刻蚀，形成第一单斜孔；步骤六：将第一层LV1过程胶去除；步骤七：在步骤六所得硅片远离金属线路结构的一面形成第二层LV2过程胶并将第二层LV2过程胶做出开口Ⅱ；步骤八：在第一步单斜孔刻蚀的孔底继续往下进行第二步单斜孔刻蚀，形成第二单斜孔；步骤九：将第二层LV2过程胶去除；步骤十：在步骤九所得硅片远离金属线路结构的一面设置绝缘结构；步骤十一：将第二步单斜孔刻蚀出的孔底的绝缘结构刻蚀干净，裸露出硅片上的导电Pad。
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