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摘要：本发明提供一种扇出型封装结构及封装方法，扇出型封装结构包括重新布线层、钝化层、半导体芯片、封装层、凹槽、第一金属凸块、第二金属凸块、转接板、堆叠芯片封装体、被动元件及填充层。本发明将多种具有不同功能的芯片整合在一个封装结构中，从而可提高扇出型封装结构的整合性；通过重新布线层、转接板及金属凸块，实现了三维垂直堆叠封装，可有效提高封装结构的集成度，且可有效缩短传导路径，以降低功耗、提高传输速度，增大数据处理量。
主权项：1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑衬底，于所述支撑衬底上形成分离层；于所述分离层上形成钝化层，所述钝化层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；提供半导体芯片，所述半导体芯片位于所述钝化层的第二面上，且所述半导体芯片的背面与所述钝化层相键合，所述半导体芯片的正面远离所述钝化层的第二面；采用封装层封装所述钝化层及半导体芯片，且所述封装层显露所述半导体芯片的焊盘；于所述封装层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述封装层相接触的第一面及相对的第二面，且所述重新布线层与所述半导体芯片的焊盘电连接；于所述重新布线层的第二面上形成第一金属凸块，且所述第一金属凸块与所述重新布线层电连接；提供承载体，并剥离所述支撑衬底，以显露出所述钝化层的第一面；对所述钝化层及封装层进行激光刻蚀，以形成凹槽，且所述凹槽显露所述重新布线层中的金属布线层；于所述凹槽中形成第二金属凸块，且所述第二金属凸块与所述重新布线层电连接；提供转接板，所述转接板位于所述钝化层的第一面上，且所述转接板与所述第二金属凸块电连接；提供堆叠芯片封装体及被动元件，所述堆叠芯片封装体及被动元件位于所述转接板上，且所述堆叠芯片封装体及被动元件均与所述转接板电连接；采用填充层，填充所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间的间隙；进行切割，以形成扇出型封装结构。
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百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 扇出型封装结构及封装方法
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