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摘要:本发明涉及一种检测硅片中金属杂质的方法,所述方法包括以下步骤:将待检测硅片在600‑1200℃下进行热处理,使金属杂质与硅反应生成金属硅化物;将热处理后的硅片降温冷却,使金属硅化物的溶解度降低并以硅环的形式析出;将降温冷却后的硅片进行分层腐蚀处理,观测不同腐蚀深度下腐蚀面是否有亮环状硅环存在,若存在则证明硅片中含有金属杂质。本发明提供的方法通过对硅环的检测判断是否含有金属杂质,从而实现原始晶圆的早期筛选和高金属杂质含量晶圆的预先剔除,并且具有较好的检测精度。
主权项:1.一种检测硅片中金属杂质的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:将待检测硅片在600-1200℃下进行热处理,使金属杂质与硅反应生成金属硅化物;将热处理后的硅片降温冷却,使金属硅化物的溶解度降低并以硅环的形式析出;将降温冷却后的硅片进行分层腐蚀处理,观测不同腐蚀深度下腐蚀面是否有亮环状硅环存在,若存在则证明硅片中含有金属杂质。
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百度查询: 上海超硅半导体股份有限公司 重庆超硅半导体有限公司 一种检测硅片中金属杂质的方法
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