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申请/专利权人：河北同光半导体股份有限公司

摘要：一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。

主权项：1.一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，其特征在于，包括以下步骤：表层去污清洗：先利用臭氧水、双氧水高级氧化和超声强化氧化臭氧的原理，去除晶圆表面多种有机物和无机物；再利用双排喷淋，增强去离子水的浸泡与冲洗能力，去除表面残留药液和颗粒；最后利用HF腐蚀性，去除晶圆表面的氧化层以去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节，其余正常片进入下一环节；RCA常规清洗：采用NH4OHH2O2H2O清洗液30～80℃浸透清洗，再使用去离子水冲洗，采用HClH2O2H2O清洗液65～85℃浸透清洗，最后使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品；所述表层去污清洗具体包括以下步骤：旋转冲洗：使用高压水枪喷射去离子水，手动旋转装有晶圆的载片盒，使前后左右上下全部冲洗，保证晶圆、载片盒各个角度冲洗干净，减少表面残留的影响，冲洗3-5min；臭氧、双氧水氧化去除表面有机物残留：采用浓度为10-25ppm臭氧水，且H2O2和DI的体积比为1:15-1:30，超声浸泡，10-20min，其中超声频率：40-100khz，晶圆随着花篮上下运动，使混合液和晶圆充分接触，以利于有机物和颗粒的去除；双排喷淋快排初次冲洗：快排清洗3-5min，双排喷淋去除晶圆、载片盒的残留药液及颗粒；超声波强化臭氧氧化封闭浸泡：采用浓度为10-25ppm的臭氧水封闭浸泡碳化硅晶圆10-25min，超声频率：40-100khz，使臭氧水充分与晶圆接触，以氧化水中的多种有机物和无机物；双排喷淋快排二次冲洗：进行快排清洗3-5min；HF腐蚀表面氧化层并去除金属离子：利用质量分数为40％的HF，且HF：DI体积比为1:20-1:60腐蚀晶圆表面的氧化层10-20min，且温度为20-25℃，超声频率为50-100khz，以去除表面的金属离子，并同时抑制氧化膜的形成；双排喷淋快排三次冲洗：进行快排清洗3-5min。

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