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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基H型栅功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区；在n型漂移层的上方从左至右依次设有第一源极金属层、氧化层以及第二源极金属层，氧化层内包裹有多晶硅栅，氧化层的下方设有与多晶硅栅邻接的栅氧化层，多晶硅栅的截面呈H型；在第一源极金属层、氧化层以及第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在顶部金属层的上方设有钝化层。通过上述方式，本发明能够使大电压应力得到释放，避免栅氧化层的退化。
主权项：1.一种碳化硅基H型栅功率器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在所述n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，所述p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区，所述p+型源区以及所述n+型源区并排设置且侧面相互接触，所述p+型源区靠近所述n型漂移层的侧面设置；在所述n型漂移层的上方从左至右依次设有第一源极金属层、氧化层以及第二源极金属层，所述氧化层内包裹有多晶硅栅，所述氧化层的下方设有与所述多晶硅栅邻接的栅氧化层，所述多晶硅栅的截面呈H型；在所述第一源极金属层、所述氧化层以及所述第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在所述顶部金属层的上方设有钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市汇芯通信技术有限公司 碳化硅基H型栅功率器件及其制备方法
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