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申请/专利权人：TCL环鑫半导体(天津)有限公司
摘要：本申请提供一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，步骤包括：获取在外延片正面具有P‑well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P‑well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极。本申请一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，在不影响器件结构的基础上，在外延层背面进行减薄刻蚀获得P型柱研磨图形，并通过在背面注入Al离子获得P型柱，以此获得具有MOSFET超结结构的基体，不仅刻蚀难度低，而且各工艺步骤简单、安全可控，亦不会出现填充空洞以及离子损伤的问题，还不会影响正面器件结构的性能，制作成本低，质量好。
主权项：1.一种碳化硅超结MOSFET的制作方法，其特征在于，步骤包括：获取在外延片正面具有P-well、N+和P+源区结构的基片；从基片背面离子注入P型柱，使P型柱与P-well区相交，以获得具有MOSFET超结结构的基体；对外延片中的离子进行激活；再依次制作正面及背面电极；在基片背面离子注入P型柱之前，还包括：在基片正面键合一层临时衬底；减薄基片背面衬底层的厚度；所述从基片背面离子注入P型柱，具体为：在减薄后的基片背面沉积一层金属层，并在该金属层上进行刻蚀形成P型柱掩膜图形；基于金属层中的P型柱掩膜图形，在衬底层中继续刻蚀与P型柱掩膜图形相同的刻蚀图形；基于衬底层中的刻蚀图形，在刻蚀孔处直接注入Al离子，在外延层的背面形成与P-well区相交的P型柱，然后去除金属层；P型柱将外延层截断，形成若干与P型柱并行的N型柱，此为MOSFET超结结构的基体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TCL环鑫半导体(天津)有限公司 一种碳化硅超结MOSFET的制作方法
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