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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法，所述对准偏差量测方法包括：提供相键合的上层晶圆和下层晶圆；获得所述上层晶圆和或所述下层晶圆上的位置点的实际坐标与理论坐标；根据所述实际坐标与所述理论坐标，计算获得所述位置点的非正交旋转偏差。本发明的技术方案使得非正交旋转偏差能够被单独量测且能够单独的在键合过程进行补偿，进而使得对准精度得到提高。
主权项：1.一种对准偏差量测方法，其特征在于，包括：提供相键合的上层晶圆和下层晶圆；获得所述上层晶圆和或所述下层晶圆上的位置点的实际坐标与理论坐标；根据所述实际坐标与所述理论坐标，计算获得所述位置点的非正交旋转偏差；计算获得多个所述位置点的非正交旋转偏差，并进行求平均值或者建立模型，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的非正交旋转偏差；获得多个所述位置点的实际坐标，并建立模型，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的总旋转偏差；采用所述总旋转偏差减去所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的非正交旋转偏差，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的正交旋转偏差。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法
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