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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶。本发明中通过使用籽晶的_110_2或_110_1面作为晶体生长面并且使籽晶与硅‑过渡金属单质‑铝单质高温溶液的液面接触进行晶体生长，使得碳化硅晶体在快速生长过程中始终界面保持光滑，减少了晶体内助溶剂包裹缺陷，增大了晶体厚度，同时获得了较高的P型载流子掺杂浓度。
主权项：1.一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供具有_110_2晶面或_110_1晶面的籽晶；步骤S2：将作为原料的硅、过渡金属单质和铝单质放入石墨坩埚内并加____热以使原料熔化形成混合溶液，然后使所述籽晶的1102晶面或1101晶面与所述混合溶液的液面接触，并将所述籽晶进行旋转提拉以使晶体生长；步骤S3：将晶体向上提拉，使得晶体生长界面与液面脱离，从而获得碳化硅单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶
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