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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明公开一种碳化硅晶片的激光雕刻方法。所述方法包括前置步骤、设置步骤、及雕刻步骤。所述前置步骤：提供激光发射器、载台、及碳化硅晶片；所述碳化硅晶片呈透明状且具有位于相反两侧的第一表面与第二表面。所述设置步骤：将所述第二表面置放于所述载台的呈非透光状承载加工面上，以使所述激光发射器面向所述第一表面。所述雕刻步骤：以所述激光发射器朝向所述第二表面的预定点发射至少一道激光束，并且至少一道所述激光束穿过所述碳化硅晶片而在所述预定点及其邻接的所述承载加工面的牺牲区域各凹设形成有激光刻槽。据此，通过呈非透明状的所述承载加工面，而易于预定点形成符合预定形状的所述激光刻槽，并降低产生缺陷的机率。
主权项：1.一种碳化硅晶片的激光雕刻方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的激光雕刻方法包括：前置步骤：提供激光发射器、对应于所述激光发射器设置的载台、及碳化硅晶片；其中，所述载台具有呈非透光状的承载加工面，所述碳化硅晶片具有位于相反两侧的第一表面与第二表面，并且所述碳化硅晶片从其所述第一表面至所述第二表面呈透明状；设置步骤：将所述碳化硅晶片的所述第二表面置放于所述载台的所述承载加工面上，以使所述激光发射器面向所述碳化硅晶片的所述第一表面；以及雕刻步骤：以所述激光发射器朝向所述第二表面的预定点发射至少一道激光束，并且至少一道所述激光束穿过所述碳化硅晶片而在所述预定点及其邻接的所述承载加工面的牺牲区域各凹设形成有激光刻槽；其中，在所述前置步骤中，在所述碳化硅晶片的所述第一表面成形有非透明层；在所述雕刻步骤中，至少一道所述激光束能穿过所述非透明层而自所述第一表面入射至所述碳化硅晶片内；其中，所述非透明层对应于可见光的波长具有介于5％～30％的透光率。
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