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申请/专利权人：安建科技(深圳)有限公司
摘要：一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，本发明涉及功率半导体器件，为了在不增加器件的沟道电阻和工艺复杂度的条件下实现对沟槽栅氧化层的保护，在第二导电型重掺杂深阱区左右侧壁分别设有深度浅于所述的第二导电型重掺杂深阱区的第一沟槽栅和第二沟槽栅，其中第一沟槽栅和第二沟槽栅顶部分别设有层间介质层，层间介质层分别向外侧延伸覆盖部分第一导电型重掺杂源极区，第一沟槽栅和第二沟槽栅包括栅介质层和填充在栅介质层内的导电介质层，本发明可以通过控制第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的间距减小元胞等效的周期长度，从而提高沟道密度，降低沟道电阻。
主权项：1.一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下的步骤：第一步，在第一导电型重掺杂碳化硅衬底上生长第一导电型轻掺杂外延层；第二步，在第一导电型轻掺杂外延层上表面通过高能离子注入的方式形成第二导电型重掺杂深阱区；第三步，在外延层上表面通过选择性离子注入的方式形成第二导电型阱区、第二导电型重掺杂接触区和第一导电型重掺杂源极区，并进行高温退火激活杂质，退火过程前需要使用碳膜覆盖碳化硅表面以防止杂质外扩以及表面碳化硅原子发生迁移；在第三步骤中，通过选择性离子注入的方式，形成有第一导电类型电流扩展层，所述的第一导电型电流扩展层的掺杂浓度高于第一导电型轻掺杂外延层且低于第二导电型重掺杂深阱区;第二导电型重掺杂深阱区和第一导电型重掺杂源极区连接；所述的第二导电型重掺杂深阱区深度超过第二导电型阱区；第四步，通过干法刻蚀在第二导电型重掺杂深阱区中刻蚀相隔的第一沟槽和第二沟槽；第四步骤中在第二导电型重掺杂深阱区的左右侧壁分别刻蚀深度浅于所述的第二导电型重掺杂深阱区的第一沟槽和第二沟槽;第五步，通过干氧氧化生长栅氧化层，并进行氧化层退火；第六步，淀积导电介质层并进行光刻和刻蚀；第七步，淀积层间介质层并进行光刻和刻蚀；第八步，在正面淀积欧姆接触金属，选择性去除接触孔以外位置的金属，进行欧姆接触金属退火，在正面淀积厚金属，进行光刻和刻蚀，接着，钝化层淀积，光刻和刻蚀，再进行背面减薄，背面金属淀积和退火。
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