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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法。该MOSFET在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有第一p+型源区以及n+型源区；在两个p型基区之间设有沿p型基区的延伸方向间隔设置的两个第二p+型源区；在n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在第一源极金属层与第二源极金属层之间并排设有第一栅氧化层、欧姆金属层以及第二栅氧化层；欧姆金属层对应第二p+型源区设置，并与第二p+型源区形成欧姆接触，在两个欧姆金属层之间设有肖特基金属层，肖特基金属层与n型漂移层形成肖特基接触。通过上述方式，本发明能够避免栅氧化层退化，改善器件的性能。
主权项：1.一种栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在所述n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，所述p型基区内包裹有第一p+型源区以及n+型源区，所述第一p+型源区以及所述n+型源区并排设置且侧面相互接触，所述第一p+型源区靠近所述n型漂移层的侧面设置；在两个所述p型基区之间设有沿所述p型基区的延伸方向间隔设置的两个第二p+型源区；在所述n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在所述第一源极金属层与第二源极金属层之间并排设有第一栅氧化层、欧姆金属层以及第二栅氧化层；所述欧姆金属层对应所述第二p+型源区设置，并与所述第二p+型源区形成欧姆接触，在两个所述欧姆金属层之间设有肖特基金属层，所述肖特基金属层与所述欧姆金属层相互间隔设置，所述肖特基金属层位于所述n型漂移层的上方，并与所述n型漂移层形成肖特基接触；在所述第一栅氧化层的上方设有第一氧化层，在所述第二栅氧化层的上方设有第二氧化层，所述第一氧化层内包裹有第一多晶硅栅，所述第二氧化层内包裹有第二多晶硅栅；在所述第一源极金属层、所述第一氧化层、所述肖特基金属层、所述欧姆金属层、所述第二氧化层以及所述第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在所述顶部金属层的上方设有钝化层。
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