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申请/专利权人：深圳市创飞芯源半导体有限公司
摘要：本申请提供一种共漏极MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法，所述共漏极MOSFET器件，包括：衬底层，具有第一导电类型；外延层，所述外延层在所述衬底层的第一表面上生长，且具有所述第一导电类型；沟槽，形成在所述衬底层的第二表面上；金属层，淀积在所述沟槽的侧壁上；钝化层；填充在所述沟槽中，从而解决了现有技术中共漏极MOSFET器件的电流通路中电阻大的技术问题。
主权项：1.一种共漏极MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底层，具有第一导电类型；外延层，所述外延层在所述衬底层的第一表面上生长，且具有所述第一导电类型；沟槽，形成在所述衬底层的第二表面上；金属层，淀积在所述沟槽的侧壁上；钝化层；填充在所述沟槽中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市创飞芯源半导体有限公司 共漏极MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法
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