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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基集成多晶异质结的功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区；在n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在第一源极金属层和第二源极金属层之间并排设置有第一栅氧化层、多晶硅层以及第二栅氧化层，多晶硅层位于n型漂移层的上方，并与n型漂移层之间形成多晶异质结，在多晶硅层的上方设有第三源极金属层；在栅氧化层的上方设有氧化层，氧化层内包裹有多晶硅栅。通过上述方式，本发明能够避免栅氧化层的退化，改善器件的性能。
主权项：1.一种碳化硅基集成多晶异质结的功率器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在所述n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，所述p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区，所述p+型源区以及所述n+型源区并排设置且侧面相互接触，所述p+型源区靠近所述n型漂移层的侧面设置；在所述n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在所述第一源极金属层和所述第二源极金属层之间并排设置有第一栅氧化层、多晶硅层以及第二栅氧化层，所述多晶硅层位于所述n型漂移层的上方，并与所述n型漂移层之间形成多晶异质结，在所述多晶硅层的上方设有第三源极金属层；在所述第一栅氧化层的上方设有第一氧化层，在所述第二栅氧化层的上方设有第二氧化层，所述第一氧化层内包裹有第一多晶硅栅，所述第二氧化层内包裹有第二多晶硅栅；在所述第一源极金属层、所述第一氧化层、所述第三源极金属层、所述第二氧化层以及所述第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在所述顶部金属层的上方设有钝化层。
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