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申请/专利权人：广州市启帆星电子产品有限公司
摘要：本实用新型涉及电子电路领域，提供一种快速复位的mosfet缓启电路，包括MOS管M6、电容C5、电容C2、电阻R14、三极管Q2和二极管D4，所述电容C5的一端连接MOS管M6的栅极，另一端连接MOS管M6的漏极；所述电容C2的一端通过电阻R14连接三极管Q2的集电极，另一端连接三极管Q2的发射极，所述三极管Q2的基极连接MOS管M6的栅极；所述电阻R14远离三极管Q2的一端连接MOS管M6的源极；所述二极管D4的阳极连接MOS管M6的栅极，二极管D4的阴极连接三极管Q2的发射极。本实用新型的优点：1提高了米勒效应在电源缓启动电路设计的可适用性，2延长缓启动的时间，使得电流或者电压冲击对后端电路元件的损害减少，延长电路的使用寿命，同时也有助于提高电路的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种快速复位的mosfet缓启电路，其特征在于，包括MOS管M6、电容C5、电容C2、电阻R14、三极管Q2和二极管D4，所述电容C5的一端连接MOS管M6的栅极，另一端连接MOS管M6的漏极；所述电容C2的一端通过电阻R14连接三极管Q2的集电极，另一端连接三极管Q2的发射极，所述三极管Q2的基极连接MOS管M6的栅极；所述电阻R14远离三极管Q2的一端连接MOS管M6的源极；所述二极管D4的阳极连接MOS管M6的栅极，二极管D4的阴极连接三极管Q2的发射极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市启帆星电子产品有限公司 一种快速复位的mosfet缓启电路
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