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申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要：本发明涉及一种肖特基势垒半导体的制备方法及肖特基势垒半导体，肖特基势垒半导体的制备方法包括以下步骤：在硅衬底表面沉积硬掩膜；通过光刻和刻蚀工艺在硬掩膜上形成沟槽；在沟槽表面和衬底表面沉积栅氧层；在栅氧层上沉积多晶硅，并进行回刻以去除栅氧层表面及沟槽上方的多晶硅；沉积增厚的氧化层形成隔离层；对沟槽上方的隔离层进行刻蚀，形成肖特基结窗口；在肖特基结窗口及隔离层沉积形成肖特基势垒金属层；在肖特基势垒金属层上沉积铜形成阳极金属层；对阳极金属层进行化学机械研磨；在硅衬底背面沉积阴极金属层。本发明解决了现有技术中肖特基二极管在制作过程中贴片不良和翘曲的技术问题。
主权项：1.一种肖特基势垒半导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、在硅衬底表面沉积硬掩膜；S20、通过光刻和刻蚀工艺在硬掩膜上形成沟槽；S30、在沟槽表面和衬底表面沉积栅氧层；S40、在栅氧层上沉积多晶硅；S50、对多晶硅进行回刻，去除栅氧层表面及沟槽上方的多晶硅；S60、沉积增厚的氧化层形成隔离层，其厚度为4μm；S70、对沟槽上方的隔离层进行刻蚀，形成肖特基结窗口；S80、在肖特基结窗口及隔离层进行沉积，形成肖特基势垒金属层；S90、在肖特基势垒金属层上沉积铜，形成阳极金属层；S100、对阳极金属层进行化学机械研磨，去除隔离层上的阳极金属层；S110、在硅衬底背面沉积阴极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 一种肖特基势垒半导体的制备方法及肖特基势垒半导体
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