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申请/专利权人：北京邮电大学

摘要：发明名称一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器及其制备方法摘要本发明提供一种基于六角氮化硼薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器，可通过六角氮化硼薄膜优化接触界面，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。该射探测器衬底层为碳化硅，在所述衬底层的上表面依次覆盖碳化硅缓冲层、碳化硅灵敏层、六角氮化硼薄膜层、和碳化硅肖特基接触上电极，在所述衬底的下表面形成n型碳化硅欧姆接触下电极。其中的六角氮化硼薄膜作为二维材料，相较于其他体材料能提供均匀、低褶皱的表面，可减小表面界面电荷，优化碳化硅与石墨烯以及金属的接触界面，形成优异的肖特基接触结，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。而且六角氮化硼耐高温、耐辐射等特性，使得器件整体在高温高辐射条件下仍保持良好的器件性能。

主权项：1.一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H-SiC肖特基辐射探测器，其特征在于，包括：1、碳化硅衬底层2、碳化硅缓冲层3、碳化硅灵敏层4、六角氮化硼薄膜层5、碳化硅肖特基接触上电级6、n型碳化硅欧姆接触下电极。所述衬底层为高掺杂碳化硅对整体器件起支撑作用，放置于所述n型碳化硅欧姆接触下电极之上与所述缓冲层之下，优选的所述衬底层厚度为300～350μm。所述的缓冲层放置于所述的衬底层之上，远离所述的n型碳化硅欧姆接触下电极，起到降低与所述衬底层界面处电场梯度，优选为低于所述衬底层掺杂浓度的n型碳化硅，厚度为1～500nm。所述的灵敏层放置于所述的缓冲层之上，远离所述的衬底层，为碳化硅起吸收带电粒子作用，优选的所述灵敏层结构厚度为1～100μm。所述六角氮化硼薄膜层为六角氮化硼薄膜，放置于所述的灵敏层之上，远离所述的缓冲层，起优化碳化硅与金属接触，提高载流子分离输运，减小灵敏层厚度的作用，优选的所述六角氮化硼薄膜可为单层、多层。所述上电极接触类型为肖特基接触，放置于所述的六角氮化硼薄膜层之上，远离所述的灵敏层，与所述六角氮化硼薄膜层和所述灵敏层形成肖特基结，优选的，所述上电极的材料为Ti、Al、Ni、Au中的任意一种，更进一步所述电极还可为石墨烯二维薄膜与Ti、Al、Ni、Au中的任意一种金属堆叠形成。所述下电极接触类型为欧姆接触，放置于所述的衬底层之下，远离所述的缓冲层，与所述衬底层形成欧姆接触，所述下电极的材料为Ti、Al、Ni、Au中的任意一种。

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