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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：位于第一面上的第一晶体管结构，包括：位于第一面表面的第一沟道层、位于第一沟道层表面的第一栅极结构以及分别位于第一栅极结构两侧的第一源漏外延层；位于第二面上的第二晶体管结构，包括：键合于第二面上的第二沟道层、位于第二沟道层表面的第二栅极结构、以及分别位于第二栅极结构两侧的第二源漏外延层；其中，第一栅极结构与第二栅极结构分别位于衬底两侧，呈上下倒置结构。第一栅极结构与第二栅极结构分别位于衬底两侧，呈上下倒置结构，并且第一晶体管结构与第二晶体管结构键合于衬底的相对两面。减小了第一晶体管结构与第二晶体管结构之间的距离，提升了半导体结构的集成密度。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，具有相对的第一面与第二面；位于所述第一面上的第一晶体管结构，包括：位于所述第一面表面的第一沟道层、位于所述第一沟道层表面的第一栅极结构以及分别位于所述第一栅极结构两侧的第一源漏外延层；位于所述第二面上的第二晶体管结构，包括：键合于所述第二面上的第二沟道层、位于所述第二沟道层表面的第二栅极结构、以及分别位于所述第二栅极结构两侧的第二源漏外延层；其中，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构分别位于所述衬底两侧，呈上下倒置结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 半导体结构及其形成方法
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