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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一封装件，所述第一封装件包括嵌入式管芯和再分布结构；第一连接件，附接至所述再分布结构，所述第一连接件包括嵌入在焊料材料中的间隔件，所述间隔件包括实芯、围绕所述实芯的第一阻挡层，围绕所述第一阻挡层的导电层，以及围绕所述导电层的焊料层，以及介于所述导电层和所述焊料层之间的第二阻挡层；第二连接件，附接至所述再分布结构，所述第二连接件没有所述间隔件，其中，所述间隔件的材料具有第一回流温度，所述第二连接件具有第二回流温度，并且所述第一回流温度大于所述第二回流温度；以及第二封装件，所述第一连接件和所述第二连接件将所述第一封装件电耦合和物理耦合至所述第二封装件。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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