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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开实施例提供了具有改进的热导率和翘曲控制的伪管芯。伪管芯包括形成在半导体衬底上方的调整层。调整层具有在约30WmK和约100WmK之间范围内的热导率。调整层可以包括氮化硅或碳化硅。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法和形成伪管芯的方法。
主权项：1.一种半导体封装件，包括：第一管芯，具有第一接合膜；第二管芯，堆叠在所述第一管芯上方并且经由所述第一接合膜接合至所述第一管芯；以及伪管芯，堆叠在所述第一管芯上方并且经由所述第一接合膜接合至所述第一管芯，其中，所述伪管芯包括：衬底；调整层，形成在所述衬底上方，其中，所述调整层具有在30WmK和100WmK之间范围内的热导率；以及第二接合膜，形成在所述调整层上方，其中，所述第二接合膜接合至所述第一接合膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体封装件及其形成方法和形成伪管芯的方法
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